Categoría: Semiconductores
20/11/2018
Super Junction MOSFET / CYG Wayon
Wayon WMOSTM C2 es una nueva tecnología de vanguardia basada en silicio para MOSFET de alto voltaje. Al utilizar el principio avanzado Super junction, la tecnología puede reducir el RDSon por área de manera significativa en comparación con el VDMOS convencional. Esta tecnología logra hasta un 38% mejor de FOM (RDS (on) * Qg) en comparación con la tecnología WMOSTM C1 anterior. Esta mejora hace que las aplicaciones de conmutación sean más eficientes y más compactas. WMOSTM C2 proporciona MOSFET de amplio rango de voltaje y es rentable en comparación con VDMOS.
