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Power MOSFET WMOSTM C2 / Wayon

¡Nuevo producto de tecnología Super junction! Wayon WMOSTM C2 es una nueva tecnología de vanguardia basada en silicio para MOSFET de potencia de alto voltaje. Al utilizar el principio avanzado de super junction, la tecnología puede reducir RDS (on) de manera significativa en comparación con el VDMOS convencional. Esta tecnología logra un mejor FOM (RDS (on) * Qg) de hasta 38% en comparación con la tecnología WMOSTM C1 anterior. Esta mejora hace que las aplicaciones de conmutación sean más eficientes y más compactas. WMOSTM C2 proporciona MOSFET de amplio rango de voltaje y es rentable en comparación con VDMOS.

Características Técnicas:

● RDS ultra bajo (encendido) que produce bajas pérdidas de conducción y mejora la eficiencia en aplicaciones finales

● Carga de puerta ultra baja que mejora el rendimiento de conmutación

● 100% avalancha probado

● Amplio rango de voltaje: 500V-900V

● Paquete verde Alternativa rentable para VDMOS