Noticias

CET-MOS anuncia el lanzamiento de MOSFET Super Junction y Split Gate y lo incorpora en su catalogo de producto 

¡Nuevo producto de tecnología Super junction! Wayon WMOSTM C2 es una nueva tecnología de vanguardia basada en silicio para MOSFET de potencia de alto voltaje. Al utilizar el principio avanzado de super junction, la tecnología puede reducir RDS (on) de manera significativa en comparación con el VDMOS convencional. Esta tecnología logra un mejor FOM (RDS (on) * Qg) de hasta 38% en comparación con la tecnología WMOSTM C1 anterior. Esta mejora hace que las aplicaciones de conmutación sean más eficientes y más compactas. WMOSTM C2 proporciona MOSFET de amplio rango de voltaje y es rentable en comparación con VDMOS.

La familia MCS180x presentada por MPS son sensores de corriente lineales de efecto Hall bidireccionales aislados para aplicaciones de detección de corriente CA o CC. Proporcionan una manera eficiente de reemplazar las soluciones shunt,  soluciones ópticas o transformador para una mayor eficiencia y un factor de precisión más pequeño.